輝達(Nvidia)執行長黃仁勳2026年6月飛抵首爾,證實SK海力士、三星、美光3大原廠都已通過認證,可為輝達最新AI晶片供應次世代高頻寬記憶體HBM4。在此之前,輝達也才在台北的GTC大會宣布新平台Vera Rubin全面量產。一連串消息,讓HBM再度成為台股最熱的關鍵字,台積電、力成、創意等焦點股同步受到市場關注。
HBM是什麼?為什麼AI非用它不可?台灣有哪些概念股與供應鏈受惠?本文一次整理。
HBM是什麼?
HBM是一種垂直堆疊多層DRAM,再緊貼在AI晶片旁的高頻寬記憶體。它的英文全稱是High Bandwidth Memory,中文叫高頻寬記憶體。
HBM的做法和一般記憶體很不一樣。傳統記憶體是平鋪晶片在電路板上,一顆一顆排開;HBM則是直接往上堆疊好幾層DRAM晶片,再用「矽穿孔」(TSV)技術,在晶片上打出上千個微小孔洞、灌進金屬,當作層與層之間的線路,讓資料可在各層間快速流通。
接下來,疊好的整落記憶體,透過先進封裝緊貼、安裝在AI晶片旁,並在兩者之間鋪上數千條並排的資料線路,也就是「匯流排」。匯流排是零組件之間傳輸數據的通訊系統,寬度越大時,傳輸效能就越佳,一般DDR5記憶體的匯流排只有64位元,單顆HBM卻寬達1024位元、HBM4更達2048位元,這就讓HBM可以一次輸送更大量的資料。
再加上HBM緊貼晶片、傳輸距離短,資料一來一回的延遲也低。又快、又能大量搬運,正是HBM頻寬遠勝一般記憶體,成為AI伺服器不可或缺零件的原因。
HBM和DRAM差在哪?
| 比較項目 | DRAM(如DDR5) | HBM |
|---|---|---|
| 結構 | 晶片平鋪在電路板上 | 多層晶片垂直堆疊,以矽穿孔(TSV)相連 |
| 與晶片的距離 | 插在主機板插槽、離處理器較遠 | 透過先進封裝緊貼GPU/AI晶片 |
| 匯流排寬度 | 64位元 | 1024位元起(HBM4達2048位元) |
| 頻寬 | 每秒數十GB | 每秒數TB(HBM4單顆突破2TB/s) |
| 成本 | 便宜、技術成熟、供應廣 | 昂貴、製程複雜、良率較低 |
| 主要用途 | PC、手機、伺服器主記憶體 | AI伺服器、GPU、高效能運算 |
HBM有哪些優缺點?
HBM的優勢在於頻寬高、體積省、效率好,缺點則是製程複雜、成本高,良率不易提升。3大優勢:
- 頻寬極高:垂直堆疊與超寬資料通道,讓資料吞吐量遠勝一般記憶體。
- 節省空間:HBM將記憶體往上疊高,而非往旁邊攤平,同樣面積可塞進更大容量。
- 能效佳:資料傳輸距離短,在達到相同效能下更省電,對耗電量龐大的AI資料中心來說是一大福音。
至於缺點,HBM製程複雜、良率偏低,產能比一般記憶體小得多,價格也最昂貴。生產1個bit的HBM約要消耗3個bit標準DRAM的產能,這種「1換3」的排擠效應,正是記憶體缺貨與漲價的根源。但也因為技術門檻高,先進封裝與相關設備成了整條供應鏈中最有價值的環節。
HBM發展歷程
HBM的升級重點,始終圍繞在3件事上,包含如何疊得更高、如何讓資料傳輸得更快、如何在提升效能的同時做到更省電。
- 2013至2015年:HBM由SK海力士與AMD合作開發、率先問世,2015年首度用在AMD的高階繪圖卡上。但當時缺乏殺手級應用,技術沉寂了好一段時間。
- 2016年起:三星、SK海力士接力量產HBM2、HBM2E,容量與頻寬一代代往上堆,但仍在等待真正能發揮它的舞台。
- 2022至2025年:ChatGPT點燃AI浪潮,HBM需求瞬間引爆。HBM3、HBM3E接連成為主流,後者更是輝達Blackwell世代AI晶片的標配,HBM也從冷門技術翻身為最搶手的零件。
- 2026年:最新的HBM4登場,是這波升級的重頭戲。DRAM堆疊可達16層、傳輸通道較上一代翻倍,單顆頻寬突破2TB/s,能效也明顯提升。美光已在第一季率先量產,輝達最新的Vera Rubin平台也採用HBM4,3大原廠(SK海力士、三星、美光)均通過認證。
HBM越往新世代走,堆疊層數越多、製程越難,先進封裝與測試的重要性就越高。這也是為什麼每次新世代HBM一推出,掌握關鍵製程的台廠就跟著水漲船高,而先進封裝正是這波量產的關鍵瓶頸。
台積電的CoWoS產能就算全力擴充,仍追不上爆發的需求,缺口預估會延續到2027年底。如今HBM4正在放量,需求遠超過供給、缺口短期難補,題材熱度也持續升溫。
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HBM廠商有哪些?龍頭是誰?
全球HBM由SK海力士、三星、美光3家原廠寡占,合計市占率超過9成,龍頭是SK海力士。它們各有所長:
SK海力士:穩坐市占龍頭。靠最早卡位與擁有龐大產能,成為輝達首要供應商,「輝達、台積電、SK海力士」的鐵三角關係,讓它在最大客戶的訂單上享有最高優先權。
三星:急起直追。一度落後SK海力士與美光,但在全力布局HBM4後快速追趕,2026年市占有機會突破3成。
美光:靠差異化突圍。以低功耗製程切入,拿下部分高能效訂單,也是唯一的美系HBM原廠,多了一層地緣政治的避險價值。
雖然中國的長鑫存儲(CXMT)也全力開發HBM,但受限於速度與散熱瓶頸,量產時程持續落後,短期內仍撼動不了3巨頭。
至於台廠,雖然不直接生產HBM晶片,卻握有整條供應鏈最關鍵的「先進封裝」工序。整合AI晶片與HBM的技術,就掌握在台積電手裡,而這正是台股最直接的機會缺口。
HBM台股概念股、供應鏈有哪些?
台廠的受惠集中在先進封裝、封測測試、IC設計服務與相關設備這4個環節。以下是供應鏈地圖:
| 供應鏈環節 | 代表個股(代號) | 切入角色 |
|---|---|---|
| 晶圓代工與先進封裝 | 台積電(2330) | 以CoWoS技術將AI晶片與HBM封裝於基板上。 |
| 封測與測試 | 力成(6239)、京元電(2449)、日月光投控(3711)、旺矽(6223) | HBM堆疊封測、AI晶片測試、承接先進封裝溢出訂單。 |
| IC設計服務/IP | 創意(3443)、世芯-KY(3661) | 提供HBM相關IP與客製化晶片設計服務。 |
| 半導體設備 | 志聖(2467) | 供應HBM製程所需的烘烤設備。 |
重點個股:
台積電(2330):CoWoS先進封裝整合AI晶片與HBM,是輝達Rubin平台能交多少貨的卡口;部分原廠的HBM4邏輯基底晶片由台積電代工。
力成(6239):投入HBM堆疊封裝技術10多年,有成熟的矽穿孔(TSV)技術,是HBM後段封測的重要夥伴。
創意(3443):台積電轉投資公司,HBM相關IP曾通過矽驗證,並與台積電、SK海力士合作CoWoS平台,受惠於客製化晶片需求。
世芯-KY(3661):與創意並列台股ASIC設計服務雙雄,專攻AI/HPC客製晶片,近年把能力延伸到HBM、Chiplet與2.5D/3D先進封裝整合。
京元電(2449):受惠AI晶片測試需求激增,訂單能見度看到2026年中。
日月光投控(3711):委外封測龍頭,承接台積電CoWoS的溢出訂單與「類CoWoS」需求。
志聖(2467):設備供應商,提供HBM製程的烘烤設備。
旺矽(6223):MEMS探針卡龍頭。CoWoS封裝前必須先揪出不良品,帶動高精密探針卡的測試需求大增,旺矽正是其中要角。
南亞科(2408)、華邦電(2344)為本土記憶體廠,主要受惠於記憶體整體漲價,與HBM的直接連動較低,屬間接受惠。
*本文所列個股僅為產業供應鏈資訊整理,非推薦標的,亦不構成任何投資建議;個股題材兌現度與股價表現存在高度不確定性,投資人應自行評估風險,買賣自負盈虧。
HBM股票怎麼挑?盯3指標、避開3風險
挑HBM概念股的核心,是檢驗「實質受惠純度」,而不是追逐沾邊題材。市場已從過去的泛概念股,轉向聚焦真正切進關鍵環節的廠商。3個正向指標:
- 客戶認證進度:是否已打進輝達或大型雲端業者的供應鏈並通過認證。
- 訂單能見度與營收貢獻:HBM或先進封裝相關營收占比是否實質拉升,而非只是題材。
- 良率與時程:先進封裝、測試的良率與交期是否穩定,這將決定該廠的出貨能力。
3個風險:
- 時間差:題材先行、量產待到,營收貢獻往往落後股價甚久。
- 估值過熱:許多概念股股價已大漲、提前反映預期,留意「買消息、賣事實」的回檔。
- 需求變數:AI晶片新平台量產不如預期、或雲端業者資本支出放緩,都會衝擊HBM需求。
HBM常見問題
Q1:HBM是什麼?它和傳統記憶體有什麼不同?
HBM(High Bandwidth Memory,高頻寬記憶體)是一種將多個DRAM晶片利用TSV(矽穿孔)技術垂直堆疊,並透過中介層與AI晶片連接的三維結構記憶體。
傳統記憶體採平面布局,資料傳輸通道數量受限。HBM改變了結構,直接在晶片內部打穿孔洞,創造出高達1024位元以上的超寬傳輸通道。這項技術不僅解決了空間限制,更實現比傳統記憶體高出好幾倍的超高傳輸頻寬。
Q2:為什麼AI晶片一定要使用HBM?
在大型語言模型(LLM)的訓練過程中,運算晶片的處理速度極快,然而傳統記憶體傳遞資料的速度難以跟上。HBM每秒提供數個TB(兆位元組)的頻寬,能及時供應巨量資料,可大幅提升整體運算效率。
Q3:HBM有哪些缺點?面臨哪些技術挑戰?
雖然HBM效能優異,但仍存在以下限制:
- 製造成本:生產工藝極度複雜,價格是傳統記憶體的數倍。
- 散熱要求:多層DRAM緊密垂直堆疊,內部熱量不易散去,需要更進階的液冷或封裝散熱技術。
- 封裝良率:只要其中一層晶片出現瑕疵,整顆昂貴的記憶體晶圓便無法使用,這高度考驗製造商的晶圓級封裝能力。
Q4:目前HBM的規格發展到哪裡了?
當前市場主要圍繞兩個世代演進:
- HBM3E:目前主流的旗艦規格,傳輸速度達到每秒9.2Gbps以上,廣泛應用於現行的尖端運算晶片。
- HBM4:新一代全新標準,最大改變是底部的基礎晶粒(Buffer Die/Controller Die)改用先進邏輯製程,並將介面位元寬度直接翻倍至2048位元,能進一步降低功耗並突破傳輸極限。
Q5:HBM的主要供應商有哪些?市場競爭格局如何?
目前全球HBM市場主要由SK海力士、三星電子及美光3家記憶體巨頭壟斷,並由SK海力士占據上風,在市場與技術都位於領先。
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核稿編輯:陳虹伶